•LECTURA SECUENCIAL DE HASTA 3.500 MB / SY ESCRITURA DE HASTA 3.000 MB / S •ARRANQUE MÁS RÁPIDO Y LANZAMIENTO DE APLICACIONES MÁS RÁPIDO •MEJOR RENDIMIENTO GENERAL DEL SISTEMA •ALMACENAMIENTO CONFI

•LECTURA SECUENCIAL DE HASTA 3.500 MB / SY ESCRITURA DE HASTA 3.000 MB / S •ARRANQUE MÁS RÁPIDO Y LANZAMIENTO DE APLICACIONES MÁS RÁPIDO •MEJOR RENDIMIENTO GENERAL DEL SISTEMA •ALMACENAMIENTO CONFIABLE •BAJO CONSUMO DE ENERGA, OPERACIN FRESCA Y SILENCIOSA



ESPECIFICACIONES DEL PRODUCTO NAND COMPONENTS 3D TLC MEMORIA FLASH INTERFAZ PCIE GEN3 X4 FACTOR DE FORMA M.2 RENDIMIENTO (LECTURA SECUENCIAL MÁXIMA / ESCRIBIR) 1TB 3,500 MB/S (READ), 3,000 MB/S (WRITE) PODER ADMINISTRACIÓN DE ENERGÍA PCIE APST, ASPM, L1.2 AMBIENTAL TBW 250 GB: 380, 500 GB: 800, TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO 0 ° C ~ 70 ° C TEMPERATURA DE ALMACENAMIENTO -40 ° C ~ 85 ° C FIABILIDAD / SEGURIDAD CERTIFICACIONES BSMI, CE, FCC, REACH, ROHS, VCCI TIEMPO MEDIO ENTRE FALLAS (MTBF) 2,000,000 HORAS CÓDIGO DE CORRECCIÓN DE ERRORES LDPC (PARIDAD DE BAJA DENSIDAD COMPROBAR) ALGORITMO ECC SUPERVISIÓN DEL ESTADO DEL PRODUCTO AUTOCONTROL, ANÁLISIS Y TECNOLOGÍA DE INFORMES (S.M.A.R.T) DATOS COMPLETOS DE EXTREMO A EXTREMO PROTECCIÓN DE RUTA COMPATIBLE CIFRADO AES256 COMPATIBILIDAD RAID (0/1) COMPATIBLE NVME NVME 1.3 OPTIMIZACIÓN DEL RENDIMIENTO TRIM (REQUIERE SOPORTE DEL SISTEMA OPERATIVO) INFORMACIÓN DEL PRODUCTO DIMENSIONES DE LA CAJA 3.94¿ X 5.13¿ X 0.63¿